TK25E60X5,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK25E60X5,S1X |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 25A TO220 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $4.59 |
10+ | $4.123 |
100+ | $3.3784 |
500+ | $2.876 |
1000+ | $2.4255 |
2000+ | $2.3042 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.2mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | DTMOSIV-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 7.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 180W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK25E60 |
TK25E60X5,S1X Einzelheiten PDF [English] | TK25E60X5,S1X PDF - EN.pdf |
TK25E60X5 TOSHIBA
TK25E60X TOSHIBA
TOSHIBA NA
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
TOSHIBA TO-220
TK25N60X TOSHIBA
TOSHIBA TO-252
MOSFET N-CH 60V 25A TO220-3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
TK25E60X,S1X(S TOSHIBA
TOSHIBA TO-220
TK25E60X5,S1X(S TOSHIBA
TK25N60X5 TOS
TK25E06K3,S1X TOS
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
TOSHIBA TO220
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TK25E60X5,S1XToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|